전자공학개론

다음 중 작은 저항값을 갖는 부하를 구동하기 위한 전압버퍼로 사용하기에 가장 적절한 증폭기는?

10진수 －15를 8비트 2의 보수 형태로 표현하면?

OSI(open system interconnection) 계층 중 송신 프로세스와 수신 프로세스를 서로 연결하는 기능을 수행하는 것으로서, 프로세스를 구분하기 위해 포트 번호를 부여하는 계층은?

FM 송신단에 사용되는 프리엠퍼시스(pre-emphasis) 필터와 FM 수신단에 사용되는 디엠퍼시스(de-emphasis) 필터를 바르게 연결한 것은?

프리엠퍼시스 디엠퍼시스

다음 (가) 입력 $v_{in}$을 (나) 회로에 인가했을 때, 출력 전압 $v_{out}$의 최댓값과 최솟값의 합[V]은? (단, 다이오드는 이상적이다)

다음 진리표를 갖는 출력 $F$의 논리식은? (단, ×는 무관항이다)

다음 회로에서 스위치가 오랜 시간 동안 열린 상태에 있다가 $t$ ＝ 0 [s]일 때 닫힌다면 $i_C(0^{+})$ [A], $v_C(\infty )$ [V], $i_L(\infty )$ [A]는?

$\underset{\_}{i_C(0^{+})}$$\underset{\_}{v_C(\infty )}$$\underset{\_}{i_L(\infty )}$

반도체 다이오드에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

다음 증폭기 회로의 전압이득 $\left|\frac{V_{out}}{V_{in}}\right|$에 비례하는 것으로 옳은 것만을 모두 고르면? (단, $I_{\mathrm{B}}$는 이상적인 정전류원이고 $C$ ＝ $\infty$, BJT $Q_1$은 활성영역에서 동작한다)

다음 4 × 1 멀티플렉서에서 출력 $Z$의 논리식은? (단, 데이터선택 입력의 순서는 다음과 같다)

다음 회로에서 $R_4$에 흐르는 전류 $I$ [A]는?

MOSFET과 BJT의 특징으로 옳은 것만을 모두 고르면?

다음 전력용 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 소스－드레인 사이의 PN 다이오드는 제조공정에서 만들어지는 내장된 내부 다이오드이다)

다음 발진기 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 발진기의 전압이득은 $A$, 귀환 계수는 $\beta$이다)

다음 증폭기 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 연산증폭기의 개방루프이득은 1,000이고 차단주파수는 1 [kHz]이다)

다음 (가) D－래치 2개를 연결한 마스터－슬레이브 회로에서 $CLK$와 $IN$의 파형이 (나)와 같을 때, $OUT$의 파형으로 옳은 것은? (단, $t_0$ 이전에 $OUT$ ＝ ‘HIGH’ 였으며 D－래치와 인버터의 지연은 없다)

다음 MOSFET 증폭기 회로의 전압이득 $\left|\frac{V_{out}}{V_{in}}\right|$은? (단, MOSFET의 전달컨덕턴스 $g_m$ ＝ 1 [mA/V], $C$ ＝ $\infty$, 교류 출력저항 $r_o$ ＝ $\infty$이다)

다음 차동증폭기 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, $I_{\mathrm{B}}$는 이상적인 정전류원이고, 트랜지스터 $Q_1$과 $Q_2$는 활성영역에서 동작하고, 공통모드이득은 매우 작은 값으로 일정하다고 가정한다)

다음 3단 귀환 RC 회로와 전압이득이 $-K$인 증폭기로 구성된 발진기 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, $K$는 양수이다)

다음 (가) 2차 대역통과필터의 전달함수에 대응하는 (나) 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이다)