다음 회로의 전달함수가 $\mathrm{H}(\mathrm{s})=\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{o}\mathrm{u}\mathrm{t}}(\mathrm{s})}{{\mathrm{V}}_{\mathrm{i}\mathrm{n}}(\mathrm{s})}=\frac{1}{1+\mathrm{s}(2{\mathrm{R}\mathrm{C}}_2)+{\mathrm{s}}^2\mathrm{X}}$일 때, X는? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

다음 회로에서 가변저항이 0 [Ω]에서 3R [Ω]까지 변화할 때, 전압이득$({\mathrm{A}}_{\mathrm{V}}=\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{o}\mathrm{u}\mathrm{t}}}{{\mathrm{V}}_{\text{in}}})$의 범위는? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

밀러(Miller) 정리를 활용해서 아래 공통 소스(common－source) 증폭기의 입력 노드 X와 연관된 극점(pole)을 가장 올바르게 근사한 표현은? (단, 트랜지스터는 포화영역에서 동작하며, 채널 길이 변조와 바디 효과는 무시한다. 또한, 그림에 표시된 커패시터 외의 트랜지스터 내부 기생 커패시턴스는 모두 무시한다)

다음 회로의 전압이득$({\mathrm{A}}_{\mathrm{V}}=\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{o}\mathrm{u}\mathrm{t}}}{{\mathrm{V}}_{\text{in}}})$은? (단, 연산증폭기는 전압이득(${\mathrm{A}}_{\mathrm{V}},\mathrm{o}\mathrm{p}$ ＝ 5)을 제외하고는 이상적이다)

다음 위상변이 발진기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

다음과 같은 이상적인 연산증폭기를 이용한 회로에서 전압이득의 최댓값과 최솟값의 차는? (단, n채널 JFET의 게이트 입력전압은 0 [V]에서 차단전압 ${\mathrm{V}}_{\mathrm{G}\mathrm{S}(\mathrm{f})}$까지 변화한다)

다음은 게이트, 드레인, 소스 간 기생 커패시턴스를 포함한 MOSFET을 나타내는 회로이다. 이 MOSFET의 입력 커패시턴스 ${\mathrm{C}}_{\mathrm{i}\mathrm{s}\mathrm{s}}$ ＝ 5 [pF], 역방향 전달 커패시턴스 ${\mathrm{C}}_{\mathrm{r}\mathrm{s}\mathrm{s}}$＝ 2 [pF], 출력 커패시턴스 ${\mathrm{C}}_{\mathrm{o}\mathrm{s}\mathrm{s}}$ ＝ 10 [pF]일 때, 게이트－드레인 간 기생 커패시턴스 ${\mathrm{C}}_{\mathrm{g}\mathrm{d}}$[pF], 게이트－소스 간 기생 커패시턴스 ${\mathrm{C}}_{\mathrm{g}\mathrm{s}}$[pF], 드레인－소스 간 기생 커패시턴스 ${\mathrm{C}}_{\mathrm{d}\mathrm{s}}$[pF]를 바르게 연결한 것은?

$\underset{\_}{{\mathrm{C}}_{\mathrm{g}\mathrm{d}}}$$\underset{\_}{{\mathrm{C}}_{\mathrm{g}\mathrm{s}}}$$\underset{\_}{{\mathrm{C}}_{\mathrm{d}\mathrm{s}}}$

그림 (가) 회로에 정현파 전압 ${\mathrm{V}}_{\mathrm{i}\mathrm{n}}$을 입력할 때, 그림 (나)의 출력 전압 ${\mathrm{V}}_{\mathrm{o}\mathrm{u}\mathrm{t}}$을 얻기 위한 전압 ${\mathrm{V}}_{\mathrm{A}}$[V]와 ${\mathrm{V}}_{\mathrm{B}}$[V]를 바르게 연결한 것은? (단, 다이오드 ${\mathrm{D}}_1$, ${\mathrm{D}}_2$의 순방향 전압은 0.7 [V]이다)

$\underset{\_}{{\mathrm{V}}_{\mathrm{A}}}$$\underset{\_}{{\mathrm{V}}_{\mathrm{B}}}$

다음 회로에서 출력전압(${\mathrm{V}}_{\mathrm{o}\mathrm{u}\mathrm{t}}$)[V]과 바이폴라 트랜지스터(BJT)의 이미터 전류(${\mathrm{I}}_{\mathrm{E}}$)[mA]를 바르게 연결한 것은? (단, ${\mathrm{V}}_{\text{in}}$ ＝ 15 [V], ${\mathrm{R}}_{\mathrm{S}}$ ＝ 100 [Ω], ${\mathrm{R}}_{\mathrm{L}}$ ＝ 500 [Ω], BJT는 ON 상태이며 ${\mathrm{V}}_{\mathrm{B}\mathrm{E}}$ ＝ 0.7 [V]이고, 제너 다이오드의 제너전압 ${\mathrm{V}}_{\mathrm{Z}}$ ＝ 9.3 [V]이다)

$\underset{\_}{{\mathrm{V}}_{\mathrm{o}\mathrm{u}\mathrm{t}}}$$\underset{\_}{{\mathrm{I}}_{\mathrm{E}}}$

다음 윈브리지(Wien bridge) 발진기 회로의 폐루프 이득으로 옳은 것은?

다음 그림과 같이 CMOS를 이용한 디지털 논리회로의 출력을 나타낸 논리 게이트는?

다음 선형곱셈기와 연산증폭기로 이루어진 회로에서 출력전압 ${\mathrm{V}}_{\mathrm{o}\mathrm{u}\mathrm{t}}=-\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{x}}}{{\mathrm{V}}_{\mathrm{y}}}$이 되기 위한 ${\mathrm{R}}_2$ 저항값은? (단, 연산증폭기는 이상적이며, 선형곱셈기의 출력전압 ${\mathrm{V}}_{\mathrm{c}}={\mathrm{K}\mathrm{V}}_{\mathrm{y}}{\mathrm{V}}_{\mathrm{o}\mathrm{u}\mathrm{t}}$이다. 또한, K는 1보다 크다)

다음 회로에서 전류 ${\mathrm{I}}_{\mathrm{T}}$[mA]와 전압 ${\mathrm{V}}_{{\mathrm{B}}_2}$[V]으로 바르게 연결한 것은? (단, ${\mathrm{V}}_{{\mathrm{B}}_1\mathrm{E}}$ ＝ ${\mathrm{V}}_{{\mathrm{E}\mathrm{B}}_2}$ ＝ 0.7 [V], ${\mathrm{V}}_{\mathrm{C}\mathrm{C}}$ ＝ 20 [V], ${\mathrm{I}}_{\mathrm{C}\mathrm{Q}}$ ＝ 0이고, 다이오드 ${\mathrm{D}}_1$, ${\mathrm{D}}_2$의 순방향 전압은 0.7 [V]이다)

$\underset{\_}{{\mathrm{I}}_{\mathrm{T}}}$$\underset{\_}{{\mathrm{V}}_{{\mathrm{B}}_2}}$

JK플립플롭에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

다음 회로의 전달함수 $\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{o}\mathrm{u}\mathrm{t}}(\mathrm{s})}{{\mathrm{V}}_{\mathrm{i}\mathrm{n}}(\mathrm{s})}$에서 ${\mathrm{C}}_{\mathrm{S}}$에 의한 하한 임계주파수 ${\mathrm{f}}_{3\mathrm{d}\mathrm{B}}$는? (단, MOSFET은 포화영역에서 동작하며 소신호 등가회로는 우측의 회로와 같다. 또한, 트랜지스터의 내부 기생 커패시턴스는 무시하며, ${\mathrm{g}}_{\mathrm{m}}{\mathrm{R}}_{\mathrm{S}}\gg 1$이다)

다음 전파 정류회로의 출력 리플 전압으로 가장 가까운 값[V]은? (단, 다이오드는 이상적이며, 순방향 전압은 무시한다. 또한, 변압기의 1차측, 2차측 권선비는 1 : 2이며, ${\mathrm{V}}_{\mathrm{S}}$ ＝ $100\sin (2\mathrm{\pi }\times 60\mathrm{t})$ [V], C ＝ 100 [$\mathrm{\mu }\mathrm{F}$], ${\mathrm{R}}_{\mathrm{L}}$ ＝ 10 [kΩ]이다)

다음 선형곱셈기와 연산증폭기로 이루어진 변조 회로에 3개의 전압(${\mathrm{V}}_{\text{in1}}$, ${\mathrm{V}}_{\text{in}2}$, ${\mathrm{V}}_{\text{in}3}$)을 입력할 때, 이에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

다음 NAND 게이트로 구성된 논리회로와 같은 출력값(Y)을 갖는 논리 게이트는?

다음 콜피츠(Colpitts) 발진기의 블록도에서 발진을 시작하기 위한 조건인 최소전압이득과 발진주파수를 바르게 연결한 것은?

최소전압이득 발진주파수

다음 회로에서 입력전압 ${\mathrm{V}}_{\mathrm{i}\mathrm{n}}$에 30 [V]의 비안정화 전압이 입력되고 있다. 모든 트랜지스터의 베이스－이미터 순방향 전압은 0.7 [V]이며 제너 다이오드의 제너 전압은 4.3 [V]이다. 안정화된 출력전압 ${\mathrm{V}}_{\mathrm{o}\mathrm{u}\mathrm{t}}$[V]는?

($n$, $k$) ＝ (7, 3) 리드솔로몬(Reed－Solomon) 부호는 심볼 오류정정 능력이 $t$이고, 한 심볼이 $m$개의 비트로 구성된다. $t$와 $m$을 바르게 연결한 것은? (단, $n$은 부호심볼 길이, $k$는 정보심볼 길이이다)

$\underset{\_}{t}$$\underset{\_}{m}$

주파수 변조(FM) 방식에 대한 설명으로 옳은 것은?

신호 $x(t)=5\cos (3000\pi t+\frac{\pi }{2})+4\cos (2000\pi t+\frac{\pi }{3})$을 나이퀴스트 샘플링 주파수의 두배로 1분 동안 샘플링했다. 8비트 양자화기를 사용하는 경우, 총 발생된 비트 수[kbits]는?

통신 채널을 선형 시불변 시스템으로 모델링하는 경우, 무왜곡 전송에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

크기가 200 [byte]인 프레임을 100 [$\mu$s]마다 6개씩 전송할 때, 전송 속도$[\mathrm{M}\mathrm{b}\mathrm{p}\mathrm{s}]$는?

이상적인 저역통과 필터의 주파수 진폭 응답 $|H(f)|$이 다음과 같을 때, 입력 $x(t)=\cos (4000\pi t)$에 대한 필터의 출력 $y(t)$는?

디지털 변조 성상도에서 BPSK의 최소 유클리드 거리(신호점 간의 최소 거리)는 QPSK의 최소 유클리드 거리의 몇 배인가? (단, 두 변조 방식 간 심볼 에너지는 동일하다)

발생 확률이 동일한 두 이진 데이터를 AWGN 채널을 통해 송신하고, 수신단에서 정합 필터를 통해 검출된 신호가 $\pm A+𝐧$이라면, 평균 비트 오류 확률을 $Q$－함수로 나타낸 것은? (단, $A$는 양의 상수이고, $𝐧$은 평균이 $0$이고 분산이 ${\sigma }^2$인 가우시안 랜덤 변수이며, $Q$－함수는 $Q(x)=\frac{1}{\sqrt{2\pi }}{\int }_x^{\infty }\exp \left[-\frac{s^2}{2}\right]ds$이다)

랜덤 변수 $X$에 대한 확률밀도함수 $f_X(x)$는 다음과 같다.

$X$와 동일한 확률분포를 갖는 4개의 독립 랜덤 변수(independent random variable) $X_1$, $X_2$, $X_3$, $X_4$ 중에 2개가 3보다 클 확률은?

광대역 FM 송신기가 100 [MHz]의 반송파 주파수를 사용하고 메시지 신호는 $m(t)=0.5\cos \left(2000\pi t\right)$ [V]이다. 송신기의 주파수 민감도가 $k_f$ = 40 [kHz/V]일 때, 카슨의 법칙에 의해 계산한 FM 신호의 전송 대역폭[kHz]은?

두 개의 실수 $X$, $Y$가 구간 [0, 1]에서 균등하게 랜덤으로 선택된다. 다음과 같이 사건 $A$, $B$, $C$가 정의될 때, 확률 $P[A\cap B\cap C]$는?

표는 그레이 코드가 적용된 8PSK의 신호 위상 변화를 나타낸다. (가) ～ (라)에 들어갈 코드를 바르게 연결한 것은?

(가) (나) (다) (라)

선형 귀환 천이 레지스터를 이용하여 발생한 최장 부호열 PN 부호에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

입력 신호 $x(t)$에 대한 출력 $y(t)=e^{-x(t)}$인 시스템에 대한 설명으로 옳은 것은?

$M$진 PSK에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

선형 시불변 시스템의 임펄스 응답 $h(t)$와 입력 $x(t)$가 다음과 같을 때, 시스템의 출력 $y(t)$는? (단, $u(t)$는 단위계단함수이다)

광의의 정상(wide sense stationary) 실수 랜덤 프로세스 $X(t)$의 자기상관 함수 $R_{XX}(\tau )$에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, $\tau$는 시간차이고 $E\left[\bullet \right]$는 랜덤 프로세스의 기댓값이다)

AWGN 채널 환경에서 디지털 변조 방식에 대한 비트오류율 크기 비교 표시가 옳은 것은? (단, 모두 동기 검파를 사용하고 동일한 $\frac{E{}_b}{N_0}\gg 1$를 가정한다)

대역확산 통신 시스템에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

직교 함수 축 $I$와 $Q$상에 그레이 부호를 적용한 16－QAM의 성상도가 다음과 같을 때, 심볼 S1, S2, S3, S4에 할당된 비트열로 바르게 연결한 것은?

S1 S2 S3 S4

그림은 어떤 양자 입자의 파동함수 $\psi (x)$를 나타낸 것이다. a, b, c 구간 중 입자가 발견될 확률이 가장 높은 구간과 가장 낮은 구간을 바르게 연결한 것은? (단, $\left|\mathrm{B}\right|>\left|\mathrm{A}\right|>\left|\mathrm{C}\right|$이고, 각 구간의 폭은 동일하다)

가장 높은 구간 가장 낮은 구간

정지 상태에서 출발한 물체가 등가속도 운동을 하여 속력이 12 m/s가 될 때까지 거리 $d$만큼 이동한 후, 12 m/s의 속력으로 등속도 운동을 하여 거리 $2d$만큼 이동하고, 다시 등가속도 운동을 하여 속력이 6 m/s가 될 때까지 거리 $d$만큼 이동하였다. 이와 같이 물체가 출발한 순간부터 $4d$만큼 이동하는 동안, 물체의 평균 속력[m/s]은? (단, 물체는 일직선상에서 운동한다)

지구의 질량과 부피가 각각 지금의 8배가 된다면, 지표면에서 중력 가속도는 현잿값의 몇 배가 되는가?

마찰이 없는 수평면 위에 질량이 각각 2 kg, 5 kg, 3 kg인 물체 A, B, C가 힘 $F$에 의해 1 m/s²의 가속도로 운동하고 있다. 이때 B가 C를 미는 힘[N]의 크기는?

다음의 회로에서 10 Ω 저항기 양단의 전위차($V$)와 60 Ω 저항기에 흐르는 전류($I$)를 바르게 연결한 것은? (단, 전지의 내부저항은 고려하지 않는다)

$V$[V] $I$[A]

영률(Young’s Modulus)이 10¹¹ N/m²인 금속으로 단면적이 1 cm²이고 길이가 10 m인 직사각형 막대를 만들었다. 막대의 양 끝에서 각각 10 N의 힘을 가하여 막대를 당겼을 때 막대의 길이 변화[m]는?

운동 에너지가 $K_0$인 전자의 드브로이 파장은 ${\lambda }_0$일 때, 운동 에너지가 $2K_0$인 전자의 드브로이 파장은? (단, 상대론적 효과는 고려하지 않는다)

보어의 수소 원자 모형에서 에너지 준위가 각각 $n=2$, $n=3$인 상태에 있는 전자가 바닥 상태($n=1$)로 전이할 때, 방출되는 광자의 진동수는 각각 $f_{2\to 1}$, $f_{3\to 1}$이다. 진동수의 비$\left(\frac{f_{3\to 1}}{f_{2\to 1}}\right)$는?

질량이 $m$인 물체가 일정한 속도 $v$로 운동하다 벽과 정면충돌하였다. 벽과 충돌 전후 물체의 속도는 크기가 같고 방향은 정반대였다. 충돌 시간이 $\mathrm{\Delta }t$일 때, 벽이 물체에 가한 평균 힘의 크기는? (단, 벽과 물체 사이의 마찰과 중력은 무시한다)

그림은 좌표 $x$에 따른 전위 $V(x)$를 그래프로 나타낸 것이다. 전하량이 －1 C인 입자가 $x$ ＝ 0에서 $+x$방향으로 출발하여 $x$ ＝ 20 m를 지난다. 이에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 입자의 가속에 의한 전자기파 방출은 무시한다)

200 W의 전열기로 비열이 1000 J/kgㆍ°C이고, 질량이 100 g인 액체의 온도를 20 °C에서 100 °C로 올리는데 필요한 시간[s]은? (단, 전열기의 일률은 모두 액체의 온도를 높이는 데만 사용된다)

그림 (가)는 양 끝이 팽팽하게 고정된 길이가 $L_1$인 줄을, (나)는 한쪽 끝만 열린 길이가 $L_2$인 관을 나타낸 것이다. (가)에서 줄을 진동시켜 발생한 파동의 전달 속력은 $3v_0$이고, (나)에서 공기 중 소리의 전달 속력은 $2v_0$이다. (가)에서 줄을 진동시켜 정상파를 만들고 (나)에서 공기를 진동시켜 정상파를 만들 때, 기본 진동의 주파수는 서로 같다. $\frac{L_1}{L_2}$은?

정지한 관측자를 향해 진동수 480 Hz의 경적을 울리는 자동차가 일정한 속력 $v$로 접근하고 있을 때, 관측자가 듣는 경적의 진동수는 540 Hz이다. $v$[m/s]는? (단, 음속은 360 m/s이다)

그림은 질량이 $m$인 물체가 길이가 $L$인 실에 연결되어 최고점 A와 B 사이를 운동하는 단진자를 나타낸 것이다. A에서 실이 연직 방향과 이루는 각은 $\theta$이다. 최하점 O에서 실의 장력의 크기는? (단, 중력가속도는 $g$이고, 물체의 크기와 실의 질량은 무시한다)

그림과 같이 수평면에 정지해 있는 질량이 10 kg인 물체에 수평면으로부터 30 °의 각도로 크기가 $F$보다 큰 일정한 힘을 가했더니, 물체가 움직이기 시작했다. $F$의 최솟값[N]은? (단, 물체와 수평면 사이의 정지 마찰계수는 2이고, 중력가속도는 10 m/s²이다)

그림과 같이 반지름이 $R$인 반구면의 꼭대기에 정지해 있던 작은 물체가 중력에 의해 반구면을 따라 미끄러져 내려온다. 물체가 반구면에서 벗어나는 순간 물체의 속력은? (단, 중력가속도는 $g$이고, 물체의 크기와 모든 마찰은 무시한다)

온도가 각각 50 K, 100 K, 150 K인 세 개의 열원이 있다. 이 중 두 열원을 선택해서 제작된 카르노 기관의 열효율이 될 수 있는 경우가 아닌 것은?

어떤 금속으로부터 광전자가 방출되기 위해서는 최소 $\mathrm{\Phi }$의 에너지가 필요하다. 이 금속에 $2\mathrm{\Phi }$의 에너지를 가진 빛을 비출 때 방출되는 광전자의 최대속력 $v_A$와 $3\mathrm{\Phi }$의 에너지를 가진 빛을 비출 때 방출되는 광전자의 최대속력 $v_B$의 비$\left(\frac{v_A}{v_B}\right)$는?

그림과 같이 물체의 중심을 지나는 축에 대한 회전 운동에너지가 큰 순서대로 바르게 나열한 것은? (단, 각 물체는 균일하고 질량은 $M$이며, 회전축에 대하여 같은 크기의 각속도로 회전한다)

영의 이중슬릿 실험 장치에서 관찰된 간섭무늬의 간격을 일정하게 유지하려고 한다. 빛의 파장($\lambda$), 이중슬릿의 간격($d$), 이중슬릿과 스크린 사이의 거리($D$)가 바르게 연결되지 않은 것은? (단, $d\ll D$ 이다)

$\underset{\_}{\lambda }$$\underset{\_}{d}$$\underset{\_}{D}$

주파수 $f=100$ [MHz]에서 무손실 전송선로의 위상상수와 특성 임피던스가 각각 $\beta =0.8\pi$ [rad/m], $Z_0=50$ [Ω]이다. 이 전송선로의 단위 길이당 정전용량 $C$ [pF/m]는?

시정현 벡터장의 페이저 $\overrightarrow{B_s}=\frac{20}{j}\overrightarrow{a_x}+10e^{j\frac{2\pi }{3}}\overrightarrow{a_y}$ [Wb/m²]에 대한 순시 표현식은? (단, 각주파수는 $\omega$이다)

균일한 전기장 $\overrightarrow{E}$ ＝ $\overrightarrow{a_x}+3\overrightarrow{a_y}+2\overrightarrow{a_z}$ [V/m]와 균일한 자속밀도 $\overrightarrow{B}$ ＝ $\overrightarrow{a_x}-2\overrightarrow{a_y}+2\overrightarrow{a_z}$ [T]가 존재하는 공간에서 전하량 2 [C]의 전하가 운동하고 있다. 전하의 속도가 $\overrightarrow{v}$ ＝ $2\overrightarrow{a_x}-\overrightarrow{a_y}+\overrightarrow{a_z}$ [m/s]일 때, 전하에 작용하는 전자기력 $\overrightarrow{F}$[N]는?

자성체에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

$z=4$, $z=1$, $z=-4$인 세 무한평면에 각각 ${\rho }_{s1}=-8$ [nC/m²], ${\rho }_{s2}=6$ [nC/m²], ${\rho }_{s3}=3$ [nC/m²]의 면전하가 분포한다. $P$($1$, $3$, $-3$)에서 전계 $\overrightarrow{E}$ [nV/m]는? (단, 공간의 유전율은 ${ϵ}_0$이다)

자기회로 구성을 위해 철심을 사용하고자 할 때, 막대 철심의 단면적이 200 [cm²]이고, 길이가 0.5 [m], 비투자율 ${\mu }_r$ ＝ 500이다. 이때, 철심의 자기저항 $R_m$[Aㆍt/Wb]은? (단, 자유공간의 투자율은 ${\mu }_0$ ＝ $4\pi \times {10}^{-}7$ [H/m]이다)

투자율 ${\mu }_0$인 공간에서 전류 $I$가 $xy$평면 위의 원호와 직선 폐경로를 따라 흐른다. 점 $O$에서 자속밀도의 크기[Wb/m²]는?

투자율 ${\mu }_0$인 공간의 $y$축상에 놓인 무한 직선 도선에 전류 $I$가 흐른다. 한 변이 $a$인 정사각 도체루프가 $x$축 방향으로 $\overrightarrow{v}$의 속도로 이동한다. 도체루프가 그림의 위치를 지날 때, 유도기전력의 크기[V]는?

$z$ ＝ 0 평면을 경계면으로 영역 1($z$ $>$ 0)은 비유전율 ${ϵ}_{r1}$ ＝ 2인 유전체로 채워져 있고, 영역 2($z$ $<$ 0)는 비유전율 ${ϵ}_{r2}$ ＝ 3인 유전체로 채워져 있다. 영역 1의 전기장이 $\overrightarrow{E_1}$ ＝ $3\overrightarrow{a_x}-\overrightarrow{a_y}+6\overrightarrow{a_z}$ [V/m]일 때, 영역 2의 전기장의 크기 $\left|\overrightarrow{E_2}\right|$[V/m]는? (단, 경계면에 전하는 없다)

전계가 $\overrightarrow{E}=4x\overrightarrow{a_x}+3y^2\overrightarrow{a_y}+2z\overrightarrow{a_z}$ [V/m]인 공간에서 점 $P_1$($2$, $-2$, $1$)과 점 $P_2$($4$, $2$, $-2$) 사이의 전위차 $V_{12}$ [V]는? (단, 길이의 단위는 [m]이다)

유전율 $2{ϵ}_0$인 유전체 $A$와 유전율 $3{ϵ}_0$인 유전체 $B$가 접해 있다. 유전체 $A$에서의 전기장 $\overrightarrow{E_A}$가 유전체 경계면과 45 °각을 이룬다. 유전체 $B$에서의 전기장 $\overrightarrow{E_B}$가 유전체 경계면과 이루는 각이 ${\theta }_B$일 때 $\tan ({\theta }_B)$는? (단, 유전체 경계면에 자유전하는 없다)

비유전율 ${ϵ}_r$ ＝ 16이고, 비투자율 ${\mu }_r$ ＝ 1인 매질에서 균일 평면파가 전파할 때, 이 매질의 고유 임피던스 $\eta$[Ω]는? (단, 자유공간의 유전율은 ${ϵ}_0$ ＝ $\frac{1}{36\pi }$ × 10^-9 [F/m]이고, 자유공간의 투자율은 ${\mu }_0$ ＝ $4\pi \times {10}^{-}7$ [H/m]이다)

공기 중에 길이 $3$ [m]인 무손실 전송선로의 특성 임피던스가 $120\pi$ [Ω]이고 단락으로 종단되었다. $37.5$ [MHz]의 주파수에서 입력 임피던스 $Z_{in}$의 특성은? (단, 빛의 속도 $c=3\times {10}^8$ [m/s]이다)

인덕턴스가 0.5 [mH]인 솔레노이드에 200 [mA]의 전류를 인가할 경우, 축적된 자기에너지[J]는?

자유공간의 $xy$평면에 놓인 원형 도체루프에 $+z$축 방향으로 통과하는 시변자속이 $\mathrm{\Phi }(t)=\sin t$ [Wb]일 때, 도선 양단의 전위 $V_{ab}$를 나타낸 그래프는?

투자율 ${\mu }_0$인 공간의 $z$축상에 놓인 무한도선에 $+z$ 방향으로 전류 $I$가 흐른다. $z$축으로부터 거리 $r$ 떨어진 위치에서 벡터 자기포텐셜 $\overrightarrow{A}$ [Wb/m]는? (단, $r=r_0$에서 $\overrightarrow{A}=0$이다)

어떤 양도체(good conductor) 전선의 표피 깊이(skin depth)는 주파수 200 [kHz]에서 0.1 [mm]이다. 주파수가 800 [kHz]로 증가하면 표피 깊이[mm]는?

점전하 $Q=-3$ [C]가 전계 $\overrightarrow{E}=\overrightarrow{a_x}-2\overrightarrow{a_y}+\overrightarrow{a_z}$ [V/m], 자속밀도 $\overrightarrow{B}=\overrightarrow{a_x}+3\overrightarrow{a_y}+2\overrightarrow{a_z}$ [Wb/m²]인 공간을 $\overrightarrow{v}=2\overrightarrow{a_x}+\overrightarrow{a_y}-\overrightarrow{a_z}$ [m/s]의 속도로 운동한다. $Q$에 작용하는 힘 $\overrightarrow{F}$ [N]은?

특성 임피던스가 각각 $Z_0=50$ [Ω], $Z_1=75$ [Ω]인 두 무손실 전송선로를 $z=0$에서 연결하였다. 전압파가 $+z$방향으로 진행할 때, $z=0$에서의 전압 반사계수 $\mathrm{\Gamma }$는?

비투자율 ${\mu }_r=400$인 선형 등방성 자성체 내부에서 자계의 크기가 $H=10$ [A/m]일 때, 자화의 세기 $M$ [A/m]은?